Diodes推出新一代首款独立 MOSFET
Diodes 公司近日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用轻巧封装,可提升效率,大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。
DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm,相较于典型双芯片解决方案,电路板空间需求最多减少 50%。此节省空间的特点,有利于使用负载点 (PoL) 与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑,以缩小功率转换器解决方案的尺寸。
PowerDI® 3333-8 D 型封装的 3D 结构有助增加整体功率效率,且高电压与额定电流大幅扩大其应用范围。完全接地垫片设计可带来良好的散热效能,降低整个解决方案的运作温度,还能善用高切换速度及其效率,免去大型电感器和电容器的需求。
DMN3012LEG 整合两个 N 信道的增强模式 MOSFET,非常适合用于同步降压转换器的设计。此组件使用横向扩散 MOS (LDMOS) 制程,结合快速导通和间断动作,Q1 延迟时间仅 5.1ns 和 6.4ns,Q2 仅 4.4ns 和 12.4ns,且 Q1 最大导通电阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 时仅 12mΩ,Q2 在 Vgs=5V 时则是 6mΩ。若闸源极电压为 10V,DMN3012LEG 可接受 30V 汲源极电压,同时支持 5V 闸极驱动。
延伸 · 阅读
- 2020-06-09 11:28腾讯领投 快手上市前夜获30亿美元融资
- 2020-06-09 11:28Winbond推出新的1.8V 512Mb SPI NOR Flash 帮助5G、云应用等市场
- 2020-06-09 11:28清香型白酒,正宗的中国味道——喜登台青春小酒
- 2020-06-09 11:28TE成本优化型连接器尾盖经济有效助力消除应力
- 2020-06-09 11:28MIKROE新推出的SiBRAIN单片机开发标准打破了嵌入式系统设
- 2020-06-09 11:28世界杯热门激光电视推荐:除了海信激光电视,还有它