英飞凌推出第二代高可靠性非易失性静态随机存取存储器
2021-04-07 17:28
来源：电子说
【2021年4月1日，德国慕尼黑】英飞凌科技有限公司(FSE:IFX/OTCXQX:IFNNY)的子公司英飞凌科技有限公司宣布推出第二代非易失性静态随机存储器(nvSRAM)。新一代设备已通过QML品质和高可靠性工业规范认证，支持恶劣环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航空航天和工业应用。
256KbSTK14C88C和1MbSTK14CA8CnvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535QML-Q规格(-55C至125C)和英飞凌工业标准(-40C至85C)。5V和3V版本都支持航空航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的制导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售以支持包装系统。
英飞凌科技有限公司负责航空航天和国防业务的副总裁赫尔穆特普奇纳(HelmutPuchner)表示：“新一代nvSRAM扩大了英飞凌在电荷陷阱存储器方面的领先地位。我们nvSRAM系列中符合QML品质规格的这些新的高可靠性工业器件证明，我们致力于为要求高性能和高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”
英飞凌的nvSRAM技术结合了高性能SRAM和一流的SONOS非易失性技术。在正常工作条件下，nvSRAM类似于传统的异步SRAM。断电时，nvSRAM会自动将一份SRAM数据保存到非易失性存储器中，该数据的保护期超过20年。英飞凌已经交付了超过20亿个基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。
供货情况
现在可以订购256KbSTK14C88C和1MbSTK14CA8CnvSRAM。
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