安塞尔米半导体推出创新的超高密度离线电源解决方案

业界首款图腾柱PFC控制器，高性能高性价比

2021年6月23日—推动节能创新的ON半导体推出了业界首款专用临界导通模式(CrM)图腾柱PFC控制器，这是该公司超高密度离线电源解决方案套件的新成员。

在传统PFC电路中，240 W电源中整流桥二极管的损耗约为4 W，约占总损耗的20%。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现了类似的性能。然而，用图腾柱配置的开关代替有损二极管，并引入升压PFC功能，可以降低电桥损耗，显著提高整体能效。另外，NCP1680可以应用于任何开关类型，无论是超结硅MOSFET还是碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等宽带隙开关。

新型NCP1680 CrM图腾柱PFC控制器采用新颖的限流架构和线相位检测，结合经过验证的控制算法，提供一种性价比高且不影响性能的图腾柱PFC方案。集成电路的核心是内部补偿数字环路控制。该创新设备采用恒定导通时间的CrM架构，带谷底开关。由于内置不连续导通模式(DCM)，谷底在频率反激操作期间同步开启，因此可以满足现代能效标准，包括轻负载下要求高能效的标准。

这种高度集成的器件使电源设计能够在一般电源(90至265伏交流电)下以最高350瓦的推荐功率水平工作。在230 Vac的功率输入下，基于NCP1680的PFC电路在300 W时可以达到近99%的能效，全功能图腾柱PFC只需少量简单的外部器件即可实现，节省了空间和器件成本。进一步减少器件数量，实现逐周期限流，不需要霍尔效应传感器。

NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持高级图腾柱PFC设计的快速开发和调试。

根据图腾柱开关技术，它包括高速半桥和低速半桥。在高速半桥上，NCP1680可以与NCP51820半桥氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极驱动器或NCP51561隔离碳化硅场效应晶体管栅极驱动器一起使用。NCP51561是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4.5 A源电流和9 A吸电流峰值能力。新器件适用于硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管器件的快速开关，提供短而匹配的传播延迟。两个独立的5千伏安(UL1577级)电隔离栅极驱动器通道可用作两个下桥、两个上桥开关或一个具有可编程死区时间的半桥驱动器。使能引脚将同时关闭两个输出，NCP51561提供其他重要的保护功能，如独立欠压闭锁(UVLO)和两个栅极驱动器的使能功能。

安塞尔米半导体提供各种碳化硅场效应晶体管，其能效高于硅场效应晶体管。低导通电阻(RDS(on))和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷(Qg)，以在更小的系统尺寸下提供最高的能效，从而提高功率密度。安塞尔米半导体发布了TO-247-4L和D2PAK-7L封装的650 V SiC MOSFET，并将继续增加产品线。此外，阿森松半导体提供了一个完整的硅基650v superfet iii MOSFET产品组合。