英飞凌推出业界首款符合航空航天FPGA QML-V标准的防辐射

空间级可编程逻辑器件(FPGA)需要包含其引导配置的可靠的大容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求，英飞凌科技有限公司旗下的英飞凌科技有限公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)近日宣布推出业内首款高容量(RadTol)NOR闪存产品，该产品已通过MIL-PRF-38535 QML-V工艺认证。QML-V工艺是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可以带来出色的低引脚数的单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用。当以更高的时钟速率使用时，该器件支持的数据传输与传统的并行异步NOR闪存相当或更优，并且引脚数量显著减少。该器件的抗辐射能力可达30千伏安(硅)偏压和125千伏安(硅)偏压。在125时，该器件具有1000个编程/擦除周期的耐久性和30年的数据保持期。在85时，它可以达到10，000个编程/擦除周期和250年的数据保留期。

英飞凌作为航空航天级存储产品的领导者，采用65 nm浮栅闪存技术，开发了RadTol 256 Mb四通道SPI(QSPI)和512 Mb双通道四通道SPI NOR Flash。它们都有133mhz的SDR接口速度。512 Mb器件由两个独立的256 Mb芯片组成，采用单封装解决方案并排组装。这样，设计人员可以在任何芯片上灵活地以双QSPI或单QSPI模式独立运行器件，从而为他们提供使用第二个芯片作为备份解决方案的选项。英飞凌正在航空航天应用领域与Xilinx等领先的FPGA生态系统公司密切合作。

英飞凌科技有限公司航空航天和国防业务副总裁Helmut Puchner表示，“我们的抗辐射双QSPI非易失性存储器完全由最新的太空级FPGA支持。它们可以为配置处理器和FPGA带来出色的低引脚数单芯片解决方案。例如，在双四通道模式下，Xilinx Kintex超大规模xqrku 060的整个图像可以在大约0.2秒内加载。”

　　供货情况

RadTol NOR闪存器件采用24x12 mm2 36引脚陶瓷扁平封装，可通过FPGA或独立编程器进行编程。该器件支持-55C至125C的温度等级，SEU速率为《1 x 10-16次翻转/位-天，SEL》 60 MeV cm2/mg(85C)，SEFI为60 MeV cm2/mg (let)，SEU阈值为28 MeV cm2/mg (let)。