mos晶体管的工作原理n沟道mos晶体管的工作原理
mos管的工作原理
金属氧化物半导体场效应晶体管是一种电压控制器件和单极器件。场效应晶体管分为PMOS晶体管和NMOS晶体管,两者都属于绝缘栅场效应晶体管。
金属氧化物半导体晶体管的源极和漏极可以切换,它们都是形成在P型背栅中的N型区域。
增强:当VGS=0时,漏极和源极之间没有导电通道,VDS下没有iD
耗尽型:当VGS=0时,漏极和源极之间有导电沟道,VDS下有iD
n沟道增强型金属氧化物半导体晶体管;
VGS=0,有一个PN结反向偏置,没有导电通道,那么iD=0,vgs "0,管就可以工作了。
《VGS》0,p区表面将形成导电沟道,反型层的厚度将导致VDS和iD的上升
n沟道耗尽型金属氧化物半导体晶体管;
在制造过程中,栅极绝缘层中存在大量的正离子。当VSG=0时,两个N区仍有导电通道
p沟道增强型金属氧化物半导体晶体管;
当VGS=0,身份证=0,打开电压“0”,当vgs“0”,管可以工作
p沟道耗尽型金属氧化物半导体晶体管;
在制造过程中,栅极绝缘层中有大量的负离子。当VSG=0时,两个N区仍有导电通道
本文综合自百度百科、电工学习网和个人图书馆
编辑AJX
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